整流回路及びバイアス供給回路付きMOSFET

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-051535
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233730
出願日： 1998年02月17日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】整流素子としてMOSFETを用いた場合にもMOSFETでの電圧降下を抑制し、整流効率の低下を防止した整流回路を提供する。【解決手段】整流素子である第1のpチャネルMOSトランジスタTr1へのバックバイアス電圧供給用として、ソースを入力端子P1に接続し、ゲートを出力端子O1に接続した第2のpチャネルMOSトランジスタTr2と、ソースを出力端子O1に接続し、ゲートを入力端子P1に接続した第3のpチャネルMOSトランジスタTr3とを設け、両者のドレインを第1のpチャネルMOSトランジスタTr1のNウェルへ共通に接続することで、Nウェルの電位を常に入出力端子P1、O1以上に保ち、しきい値電圧の上昇及びMOSトランジスタTr1〜Tr3の寄生ダイオードD1、D2、D3、D4によるリーク電流を防止する。

請求項（抜粋）：

ソースが入力端子に接続され、ドレイン及びゲートが出力端子に接続されたpチャネルMOSFETと、出力端子に接続された平滑コンデンサーとを備え、前記入力端子と前記出力端子のうち高電位の端子から前記pチャネルMOSFETへバックバイアス電圧を供給する手段を具備していることを特徴とする整流回路。

IPC (3件)：

H01L 27/08 331 , H01L 29/78 , H02M 7/21

FI (4件)：

H01L 27/08 331 G , H02M 7/21 Z , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-231373 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-343260
特開平1-164264

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