特許

J-GLOBAL ID：200903033644133800

半導体光吸収素子および半導体光吸収素子を応用したパルス光発生装置

発明者： 板谷 太郎 ,  河西 勇二 ,  村川 正宏 ,  樋口 哲也
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  河西 勇二 ,  村川 正宏 ,  樋口 哲也 ,  株式会社進化システム総合研究所
代理人 (1件)： 野村 泰久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-072906
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270934
出願日： 2001年03月14日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】半導体光吸収素子および半導体光吸収素子を応用したパルス光発生装置に関し,可飽和吸収特性のすぐれた透過型の半導体光吸収素子を提供すること,およびその半導体光吸収素子を光路の中におくことにより自己パルス生成機能を備えるパルス光発生装置を提供する。【解決手段】光強度の大きい入射光11に対して光透過率の高い可飽和吸収特性を有する半導体の可飽和吸収層4に,該可飽和吸収層4で発生した光励起キャリアを該可飽和吸収層4に閉じ込めるキャリア閉じ込め層2、3を備える半導体光吸収素子1。

請求項（抜粋）：

光強度の大きい入射光に対して光透過率の高い可飽和吸収特性を有する半導体の可飽和吸収層に、該可飽和吸収層で発生した光励起キャリアを該可飽和吸収層に閉じ込めるキャリア閉じ込め構造を備えることを特徴とする半導体光吸収素子。

Fターム (8件)：

5F072AB03 ,  5F072AK09 ,  5F072KK14 ,  5F072KK26 ,  5F072MM08 ,  5F072PP10 ,  5F072RR01 ,  5F072SS08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 短光パルス波形整形装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-044074   出願人：国際電信電話株式会社
• レーザシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-132473   出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
• 特開平4-354170
  
• パルス光源装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-079866   出願人：浜松ホトニクス株式会社