特許
J-GLOBAL ID：200903033682219875
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-227656
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074202
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 素子領域の面積を増大させることなく、チャネル領域の電位を固定することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板10上の埋込酸化膜14上に、MOSFET用の素子領域であるシリコン層16が形成されている。シリコン層16にはチャネル領域20、ソース領域22及びドレイン領域24が形成されている。ソース領域22及びドレイン領域24の膜厚は、チャネル領域20の膜厚より相対的に薄くなっている。ソース領域22及びドレイン領域24上にはシリコン酸化膜26、28が形成され、シリコン酸化膜26、28とチャネル領域24の上面はほぼ一致している。シリコン酸化膜26、28及びチャネル領域24上には基板電極層30が形成されている。この基板電極層30はチャネル領域24にのみコンタクトしている。
請求項（抜粋）：
絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、チャネル領域と、前記チャネル領域よりも膜厚が薄いソース領域及びドレイン領域とを有する半導体層と、前記チャネル領域下の前記絶縁層中に形成されたゲート電極層と、前記半導体層の前記ソース領域及びドレイン領域上に形成され、上面が前記チャネル領域の上面にほぼ一致する絶縁膜と、前記半導体層のチャネル領域及び前記絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域にコンタクトする基板電極層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 27/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 29/78 617 N
, H01L 27/12 F
, H01L 27/12 B
, H01L 29/78 301 P
, H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 616 S
, H01L 29/78 621
