特許
J-GLOBAL ID：200903033734455840
半導体集積回路装置の製造方法およびそれに使用されるボンディング装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-273939
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261673
出願日： 1997年09月19日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 ボンディング後のインナリードのS字形状を安定させる。【解決手段】 一主面に複数本のインナリード7が敷設されたテープキャリア2にチップ12が絶縁膜10を介して固着され、チップ12の各電極パッド14が各インナリード7にボンディングされているμBGA・IC17の製造方法において、インナリード7が電極パッド14にボンディングされる際に、まず、テープキャリア2のスプロケットホールが使用されてチップ12がボンディング工具に対して一定位置に供給される。続いて、特徴リードと電極パッドが使用されてインナリード7と電極パッド14の位置が認識される。その後、インナリードの中心線が認識されてインナリード7がボンディング工具によってチップ12に着地され、基端方向へ押されてS字形状に弯曲された後に、インナリード7の先端部が電極パッド14にボンディング工具によって熱圧着される。
請求項（抜粋）：
一主面に複数本のインナリードが敷設されたキャリアに半導体チップが絶縁膜を介して機械的に接続されているとともに、この半導体チップの各電極パッドが前記各インナリードにボンディングされている半導体集積回路装置の製造方法であって、前記インナリードが前記電極パッドにボンディングされる際に、前記インナリードの位置が個別または一括して観測され、この観測結果に基づいて前記インナリードがボンディング工具によって変形されて前記電極パッドにボンディングされることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
引用特許：
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