特許

J-GLOBAL ID：200903033736548713

半導体装置とその作製方法

発明者： 平形 吉晴 ,  石谷 哲二 ,  深井 修次 ,  今林 良太
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-359559
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210086
出願日： 2004年12月13日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 本発明は、高価な専用の装置に依存せず、有機半導体が大気に晒されないような、低コストの有機TFTの作製方法を提供することを課題とする。また、材料の熱分解が問題とならないように低温での有機TFTの作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】 上記課題を鑑み、本発明は保護膜として機能するフィルム状の保護体を有機半導体膜上に設けることを特徴とする。フィルム状の保護体は、フィルム状の支持体を接着剤等で固定して形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体膜の一方の面に、絶縁膜を有し、 前記半導体膜の他方の面に、接着層を介してフィルム状の支持体が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L51/00

FI (3件)：

H01L29/78 619A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (42件)：

5F110AA21 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 薄膜デバイス装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-122329   出願人：株式会社リコー
• アクティブマトリックス駆動型自発光表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-298823   出願人：シャープ株式会社
• 半導体デバイスのカプセル化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-043700   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド