特許

J-GLOBAL ID：200903091340926243

半導体デバイスのカプセル化方法

発明者： カーク ウィリアム ,  ゼナン バオー ,  ピーター マーチ ,  ジョン エイ ロジャース
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-043700
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314093
出願日： 2002年02月20日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】低い温度で堆積可能であり、かつ必要とされるカプセル化特性を提供することのできるカプセル化材料を提供すること。【解決手段】 本発明は、半導体デバイスの性能を向上させる環境下で半導体デバイス上にカプセル化材料を堆積するステップを有し、前記カプセル化材料は、無機誘電体材料と、有機-無機混成材料と、無機ポリマーと、シリコンポリマーと、金属ポリマー積層化されたカプセル化材料と、前記の材料のいずれか材料のの多層構造物からなるグループから選択される。カプセル化材料はシランと残りが窒素のガス流とアンモニア流とで堆積される。具体的には、前記カプセル化材料は、SiOxとSiNx(Xは0.1〜10)、である。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの性能を向上させる環境下で半導体デバイス上にカプセル化材料を堆積するステップを含むことを特徴とする半導体デバイスのカプセル化方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 51/00

FI (6件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 B

Fターム (33件)：

5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BJ03 ,  5F110AA14 ,  5F110AA17 ,  5F110AA21 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE07 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜フラーレンを含んでいるnチャネル電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-059209   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Soluble and processable regioregular poly(3-hexylthiophene) for thin film field-effect transistor ap