特許
J-GLOBAL ID：200903067587890847

薄膜デバイス装置とその製造方法

発明者：
秋山 善一

秋山 善一 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-122329
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318195
出願日： 2002年04月24日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 高価で、かつ、割れやすい耐熱性基材に形成した、有機TFTアクティブマトリクス基板を安価でフレキシブルなプラスチック基材上に転写するに当たって、工程が複雑になったり、耐熱基材からの薄利の際、溶剤型感圧接着剤による応力の問題が発生したりする。【解決手段】 耐熱基材100の上に、分離層120として、液相存在により、耐熱基材100に対する密着力が低減して剥離現象を生ずる性質を有する有機物膜を形成し、その上に薄膜デバイス相140を形成する。さらにその上に、接着相160によって、表面基材170を接着する。分離層120と耐熱基材100界面に液相を介在させて剥離現象を起こさせることにより、応力の問題を生ぜずに容易に表面基材170に転写できる。有機物膜としては、ポリパラキシリレンまたはその誘導体が適している。
請求項（抜粋）：
耐熱基材上に分離層を形成する第1の工程と、前記分離層上に薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記耐熱基材と反対側に表面層を設ける第3の工程と、前記分離層と前記耐熱基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記耐熱基材を前記薄膜デバイス側から剥がす第4の工程とを有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では、前記分離層として、前記耐熱基材との界面に液相存在により、前記分離層の前記耐熱基材に対する密着力が低減して剥離現象を生ずる性質を有する有機物膜を形成し、前記第4の工程では、前記分離層と前記耐熱基材界面に液相を介在させて前記剥離現象を起こさせることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。
IPC (11件)：
H01L 21/336 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  G02F 1/167 ,  G09F 9/00 346 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 ,  G09F 9/35 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00
FI (11件)：
G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1368 ,  G02F 1/167 ,  G09F 9/00 346 A ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 365 Z ,  G09F 9/35 ,  H01L 27/12 B ,  H01L 29/78 627 D ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
Fターム (62件)：
2H090HA08 ,  2H090HB07X ,  2H090HC01 ,  2H090HD01 ,  2H090JA06 ,  2H090JA15 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090JD13 ,  2H090LA04 ,  2H092HA28 ,  2H092JA24 ,  2H092KB21 ,  2H092MA01 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  5C094AA14 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094BA03 ,  5C094BA27 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094CA19 ,  5C094DA06 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094EB02 ,  5C094FB01 ,  5C094FB04 ,  5C094GB10 ,  5C094HA08 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD30 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN71 ,  5F110QQ16 ,  5G435AA14 ,  5G435AA17 ,  5G435BB05 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435EE37 ,  5G435EE38 ,  5G435HH13 ,  5G435HH20 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435LL06 ,  5G435LL07 ,  5G435LL08
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (13件)
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