特許

J-GLOBAL ID：200903033738010338

高電気抵抗を有する磁気抵抗膜

発明者： 小林 伸聖 ,  大沼 繁弘 ,  増本 健
出願人/特許権者： 財団法人電気磁気材料研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-281232
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092639
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高い電気比抵抗を有し、室温においてMR比の値が3%以上の大きな磁気抵抗効果を示し、且つ高い磁場感度を示す良好な磁性膜を提供することを目的とする。【構成】一般式(Co1-aFea)100-x-yMxOyで表され、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり、かつ組成比aは0≦a≦1で、そのx,yは原子比率で、10≦x≦40、20≦y≦50、30≦x+y≦70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を示す高電気抵抗を有する磁気抵抗膜。

請求項（抜粋）：

一般式(Co1-aFea)100-x-yMxOyで表され、MはBe,Mg,Al,Si,Ca,Ti,V,Cr,Mn,Sr,Zr,Nb,Ba,Hf,Ta,希土類元素のうちから選択される1種または2種以上の元素であり、かつ組成比aは0≦a≦1で、そのx,yは原子比率で、10≦x≦4020≦y≦5030≦x+y≦70である組成と少量の不純物からなり、室温で3%以上の磁気抵抗効果を示す高電気抵抗を有する磁気抵抗膜。

IPC (5件)：

H01F 10/16 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/10

FI (5件)：

H01F 10/16 ,  G11B 5/31 C ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高電気比抵抗磁性薄膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-088565   出願人：財団法人電気磁気材料研究所
• 特開平4-062806