特許
J-GLOBAL ID:200903033742843050

微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 詔男 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-130608
公開番号(公開出願番号):特開2000-323461
出願日: 1999年05月11日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【課題】 ナノインプリントによるパターニングのアライメント可能な微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法を提供する。【解決手段】 ナノインプリントのモールドを、光等を透過可能なモールド基板に設け、このモールド基板に位置参照用のマークを設ける。ウェハにも、モールド基板のマークに対応したマークを形成する。モールド基板でのモールドの位置決めを精度良く行うために、ナノインプリントのモールドは、モールド基板にマークを形成した後に、マーク位置を参照して形成する。モールド基板にモールドとマークを形成することによって、ウェハ上側から、光等によってモールド基板を透過してモールド基板のマークとウェハのマークを同時に観察・参照することでウェハとモールドとの相対位置をアライメントする。
請求項(抜粋):
ウェハに一括パターン形成する微細パターン形成装置において、パターン形成手段が光、電子、イオン、またはX線を透過させるパターン形成基板に設けられることを特徴とする微細パターン形成装置。
IPC (2件):
H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (3件):
H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 502 M ,  H01L 21/30 502 Z
Fターム (8件):
5F004AA16 ,  5F004EA00 ,  5F004EA33 ,  5F046AA28 ,  5F046ED01 ,  5F046FA05 ,  5F046FA08 ,  5F046FA14
引用特許:
審査官引用 (6件)
  • 薄膜パターン製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-270458   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開昭57-184220
  • フォトマスク基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-031971   出願人:ソニー株式会社
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