特許
J-GLOBAL ID：200903033775376245
複合半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082599
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260968
出願日： 1998年03月13日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 絶縁ケースと放熱板との接着工程を不要とし、作業工数を減少させ、製造原価を低減する。【解決手段】 導体パターン4上に半導体チップ3、外部導出端子等の電子部品を搭載し、所定の電気回路を構成した絶縁基板2と、この絶縁基板2を搭載する放熱板11と、この放熱板11に被せられる両端開口の絶縁ケース16と、この絶縁ケース16の開口部に配置される蓋体とを有する複合半導体装置において、前記絶縁ケース16の下端に前記放熱板11をインサートモールドして一体化する。
請求項（抜粋）：
導体パターン上に半導体チップ、外部導出端子等の電子部品を搭載し、所定の電気回路を構成した絶縁基板と、この絶縁基板を搭載する放熱板と、この放熱板に被せられる両端開口の絶縁ケースと、この絶縁ケースの開口部に配置される蓋体とを有する複合半導体装置において、前記絶縁ケースの下端に前記放熱板をインサートモールドして一体化したことを特徴とする複合半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/28
, H01L 23/36
, H01L 25/07
, H01L 25/18
H01L 23/28 B
, H01L 23/36 Z
, H01L 25/04 C
