特許
J-GLOBAL ID：200903000482342154
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033823
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232349
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】【課題】 樹脂ケース成型時においてターミナル表面上での樹脂バリの発生や汚染を防ぐことができ、且つ高温成型と同等の強度、耐熱性及び寸法安定性を得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 外部接続用のターミナルがインサート成型されたコネクタを有する樹脂ケースを金型によって成型する樹脂ケース成型工程と、入出力端子を有し電子部品が実装されて所定の回路が構成された回路基板を前記樹脂ケース内の金属ベース上に装着する回路基板装着工程と、前記入出力端子と前記ターミナルとをワイヤボンディングするボンディング工程とを実行する半導体装置の製造方法において、前記樹脂ケース成型工程は、金型温度を樹脂のガラス転移温度以下の低温にして前記樹脂ケースを低温成型した後、アニールを行う。
請求項（抜粋）：
入出力端子を有し電子部品が実装されて所定の回路が構成された回路基板を装着する金属ベースと、外部接続用のターミナルがインサート成型されたコネクタを有し前記金属ベース上に前記回路基板を収納する樹脂ケースと、前記入出力端子と前記ターミナルを電気的に接続するリード部とを有する半導体装置において、前記樹脂ケースは、金型温度を樹脂のガラス転移温度以下の低温にして成型したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/56 R
, H01L 23/28 K
