特許
J-GLOBAL ID：200903033792608419

電界発光素子及びその製造方法

発明者：
定別当 裕康

定別当 裕康 について


出願人/特許権者：
カシオ計算機株式会社

カシオ計算機株式会社 について


代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-235512
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067461
出願日： 1997年08月18日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 有機EL層を劣化させることなく、ドライエッチングにより電極を形成でき、電極の微細化や基板の大型化を可能にする、電界発光素子及びその製造方法をを提供する。【解決手段】 有機EL層13上に、順次、MgInでなる第1金属層14、Alでなる第2金属層15、Crでなるブロッキング層16を積層することにより、ブロッキング層上にフォトリソグラフィー技術を用いてフォトレジスト17をパターン形成する際に、現像液や水分が第2金属層15を通過して第1金属層14や有機EL層13へ浸入するのを防止することができる。このため、ドライエッチングのマスクとしてのフォトレジスト17のパターニングが可能となり、有機EL層13を劣化させることなく、ブロッキング層16と第2金属層14をドライエッチングできる。また、露出した第1金属層14は、酸化されて絶縁部分14Aとなるため、実質的にカソード電極の微細なパターン形成が可能となり、有機EL層13の劣化のない電界発光素子の製造方法を実現できる。
請求項（抜粋）：
一対の電極に挟まれた電界発光素子において、前記一対の電極の一方は、第1金属層と、この第1金属層上に形成された第2金属層と、第2金属層の結晶構造と異なる結晶構造を有するブロッキング層と、を有することを特徴とする電界発光素子。
IPC (2件)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/10
FI (2件)：
H05B 33/26 ,  H05B 33/10
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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