特許

J-GLOBAL ID：200903033797049752

窒化物半導体発光素子

発明者： 坂本 貴彦 ,  濱口 安崇
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (3件)： 田中 光雄 ,  石井 久夫 ,  田村 啓
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2005006174
公開番号（公開出願番号）：WO2005-096399
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

基板上に、n側窒化物半導体層及びp側窒化物半導体層を有し、p側窒化物半導体層の上に透光性電極10が形成され、さらに外部回路と接続するためのp側パッド電極14が形成されており、n側窒化物半導体層に外部回路と接続するためのn側パッド電極12が形成され、p側窒化物半導体層側から発光を観測する窒化物半導体発光素子であって、透光性電極10及び/又はp側窒化物半導体層の端面におけるテーパ角を位置によって異ならしめる。

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成されたn側窒化物半導体層及びp側窒化物半導体層と、 前記p側窒化物半導体層の上に形成された透光性電極と、 前記p側窒化物半導体層の上に形成された、外部回路と接続するためのp側パッド電極と、 前記n側窒化物半導体層と外部回路と接続するためのn側パッド電極と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、 前記透光性電極及び/又は前記p側窒化物半導体層の端面が有するテーパ角を位置によって異ならしめたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (9件)：

5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA76 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-129313   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-226608   出願人：株式会社東芝