特許
J-GLOBAL ID：200903033817941835

分子メモリデバイスおよび方法

発明者：
クー,ウェルナー,ジー.

クー,ウェルナー,ジー. について

, 
ガロ,アントニオ,アール.

ガロ,アントニオ,アール. について


出願人/特許権者：
ゼッタコア,インコーポレーテッド.

ゼッタコア,インコーポレーテッド. について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-551577
公開番号（公開出願番号）：特表2007-520090
出願日： 2005年01月28日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
スイッチングデバイスと、前記スイッチングデバイスに結合された少なくとも第1のビット線および第1のワード線と、それぞれがビット線およびワード線に結合された記憶位置のアレイとを具備する分子メモリ素子であって、前記素子は、レドックス活性分子を含む記憶分子を有する第1の電極を具備し、前記アレイは、第2の電極を具備する。
請求項（抜粋）：
スイッチングデバイスと、前記スイッチングデバイスに結合された少なくとも第1のビット線および第1のワード線と、それぞれがビット線およびワード線に結合された記憶位置のアレイと、を具備する分子メモリ素子であって、 前記素子は、レドックス活性分子を含む記憶分子を有する第1の電極を具備し、前記アレイは、第2の電極を具備する、分子メモリ素子。
IPC (3件)：
H01L 27/28 ,  H01L 51/05 ,  G11C 13/02
FI (2件)：
H01L27/10 449 ,  G11C13/02
Fターム (12件)：
5F083AD15 ,  5F083FZ07 ,  5F083GA09 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083ZA21
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 高密度の不揮発性記憶デバイス
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-508444   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア, ノースカロライナステイトユニバーシティ
  • 強誘電体メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-024184   出願人：株式会社日立製作所
  • 特許第6348707号

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