窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体基板

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：沖川寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-355008
公開番号（公開出願番号）：特開2008-162855
出願日： 2006年12月28日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：

【課題】貫通ピットや貫通クラックが存在するために事実上使用不可能であった自立基板を半導体素子の工程に流せるようにし、基板の生産歩留まりを著しく向上させ、貴重で高価な窒化物半導体基板の提供。【解決手段】表面から裏面まで貫通する貫通ピット8又は貫通クラックをその製造過程で有する窒化物半導体の自立基板7に対し、前記貫通ピット8又は貫通クラックに窒化物を形成可能な金属を付着させた後、前記金属を窒化させて窒化物を形成し、前記窒化物により前記貫通ピット又は貫通クラックを埋める。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

表面から裏面まで貫通する貫通ピット又は貫通クラックをその製造過程で有する窒化物半導体の自立基板に対し、前記貫通ピット又は貫通クラックに窒化物を形成可能な金属を付着させた後、前記金属を窒化させて窒化物を形成し、前記窒化物により前記貫通ピット又は貫通クラックを埋めることを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 , H01L 21/205 , C30B 33/00

FI (3件)：

C30B29/38 D , H01L21/205 , C30B33/00

Fターム (16件)：

4G077AA02 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077FJ10 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 5F045AA01 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AD09 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045BB13 , 5F045DA53 , 5F045DQ08

引用特許：

出願人引用 (5件)

窒化ガリウム単結晶基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-127926 出願人：三星コーニング株式会社
特許3631724号公報
特許3744155号公報

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