特許
J-GLOBAL ID：200903071440866409
窒化ガリウム単結晶基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-127926
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057119
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板上に窒化ガリウム膜を形成する段階と、前記サファイア基板を600°Cないし1000°C範囲で加熱する段階と、前記加熱されたサファイア基板の背面にレーザーを照射して前記サファイア基板から前記窒化ガリウム膜を分離する段階とを含む。また、サファイア基板の前面に窒化ガリウム膜を形成する段階の前後段階にサファイア基板の背面にシリコン酸化膜を形成する段階及び、前記サファイア基板背面の前記シリコン酸化膜を除去する段階をさらに追加する。これにより、クラックが生じない高品質の窒化ガリウム基板を得られる。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に窒化ガリウム膜を形成する段階と、前記サファイア基板を600°Cないし1000°Cの範囲で加熱する段階と、前記加熱されたサファイア基板の背面にレーザーを照射して前記サファイア基板から前記窒化ガリウム膜を分離する段階とを含むことを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, B23K 26/00
, H01L 21/02
, B23K101:40
H01L 21/268 E
, B23K 26/00 H
, H01L 21/02 B
, B23K101:40
