エッチング方法及び光学素子の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三澤正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-253203
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229416
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、同一条件下でレジスト層に異なる溝深さ、溝幅等の形状の形成した基材に対してエッチングを行う際に、エッチング処理後の形状が想定された深さ、幅等と異なるように形成されることを防止するとともに、L&Sを層毎に作成して多層を経ることなく、任意の形状を形成可能なエッチング方法及び光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】レジスト膜よりなる第1の層(13)と、第1の層(13)の下層に形成され異方性部材よりなる第2の層(12)とを有する基材(10)に対して所定のエッチング処理を施すエッチング方法である。第2の層(12)に形成されるべき目標とする第1の寸法aに、補正係数(1/k)を乗じた第2の寸法b-cとなるように、第1の層(13)を加工する工程を有する。さらに、第1の層(13)を加工後に、前記基材(10)をエッチングする工程を有する。

請求項（抜粋）：

レジスト膜よりなる第1の層と、前記第1の層の下層に配置される第2の層を有する基材に対して所定のエッチング処理を施すエッチング方法であって、前記第2の層に形成されるべき目標とする形状の第1の寸法に、補正係数を乗じた第2の寸法となるように、前記第1の層を加工する第1工程と、前記第1の層を加工後に、前記基材をエッチングする第2工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , G11B 7/22

FI (2件)：

G11B 7/22 , H01L 21/302 105 A

Fターム (12件)：

5D119AA01 , 5D119AA05 , 5D119AA40 , 5D119BA01 , 5D119JA44 , 5D119JA64 , 5D119NA05 , 5F004AA09 , 5F004BA20 , 5F004BB18 , 5F004EA01 , 5F004EB06

引用特許：

審査官引用 (4件)

回折格子の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-222654 出願人：沖電気工業株式会社
特開昭63-122122
特開昭62-281428

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