特許

J-GLOBAL ID：200903073841299623

多層配線の形成方法

発明者： 片岡 耕太郎 ,  岩田 浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226227
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058644
出願日： 1998年08月10日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 製造工程において不安定なプロセスや工程数の増加がほとんどなく、コストの増加を抑制でき、高歩留まりを維持できると共に、用途が限定されず汎用性に優れた、上層配線用の溝と接続孔の位置ずれを防止することができる多層配線の形成方法を提供する。【解決手段】 多層配線を、基板11上に設けた下層配線12を覆うように絶縁膜13を形成する工程と、この絶縁膜13上に第1のフォトレジスト層14を形成する工程と、この第1のフォトレジスト層14をエッチングマスクとして第1のエッチングを行い絶縁膜13に溝16を形成する工程と、第1のフォトレジスト層14上に、第2のフォトレジスト層17を形成する工程と、この第2のフォトレジスト層17をマスクとして第2のエッチングを行い、絶縁膜13に下層配線12に達する接続孔を形成する工程と、接続孔及び溝16を導電体で埋め込み、プラグ及び上層配線を形成する工程とにより形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に設けた下層配線を覆うように絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に第1のフォトレジスト層を形成する工程と、該第1のフォトレジスト層をエッチングマスクとして第1のエッチングを行い該絶縁膜に溝を形成する工程と、該第1のフォトレジスト層上に、第2のフォトレジスト層を形成する工程と、該第2のフォトレジスト層をマスクとして第2のエッチングを行い、該絶縁膜に該下層配線に達する接続孔を形成する工程と、該接続孔及び該溝を導電体で埋め込み、プラグ及び上層配線を形成する工程とを包含する多層配線の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 J

Fターム (35件)：

5F004BA11 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB25 ,  5F004EA02 ,  5F004EA22 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA08 ,  5F033AA02 ,  5F033AA04 ,  5F033AA12 ,  5F033AA15 ,  5F033AA25 ,  5F033AA29 ,  5F033AA64 ,  5F033AA65 ,  5F033BA12 ,  5F033BA17 ,  5F033BA43 ,  5F033BA46 ,  5F033CA09 ,  5F033DA04 ,  5F033DA05 ,  5F033DA13 ,  5F033DA34 ,  5F033DA35 ,  5F033EA02 ,  5F033EA04 ,  5F033EA05 ,  5F033EA19 ,  5F033EA25 ,  5F033EA29 ,  5F033FA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-114201   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-108359
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-200037   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-091943