特許

J-GLOBAL ID：200903033832793915

錫-ビスマスはんだの接合方法

発明者： 中西 輝 ,  植田 秀文 ,  表 孝 ,  山岸 康男
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-189546
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041621
出願日： 1996年07月18日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、LSI素子および電子機器中のはんだ材料や接合用電極材料、またはんだにより回路基板に表面実装する際に重要な役割を果たす電極接合部表面の被覆処理に関し、Sn-Biはんだの接着強度を増す接着方法を得る。【解決手段】 回路基板上のはんだ付け部にあらかじめ銀添加膜を形成し、次いではんだ付け部に電子部品をSn-Biはんだで接合する。はんだ付け部をニッケルまたは銅の膜で形成し、その表面に5μmを超えない厚さの銀添加膜を形成する。また、Snを40〜50Wt%、Biを40〜70Wt%を含む錫-ビスマスはんだを用いて電子部品を回路基板にはんだ付けする際、該回路基板上のはんだ付け部の表面被覆材に少なくともビスマスが50Wt%を超える錫-ビスマスはんだを用いる。

請求項（抜粋）：

回路基板上のはんだ付け部に銀(Ag)添加膜を形成し、次いで該はんだ付け部に電子部品を錫(Sn)-ビスマス(Bi)はんだで接合することを特徴とする錫-ビスマスはんだの接合方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 512 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 3/34 505

FI (3件)：

H05K 3/34 512 C ,  H05K 3/34 501 F ,  H05K 3/34 505 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-055661   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-293240
  
• 特表平7-509662
  
• はんだ合金及びはんだ粉末及びはんだペースト及びプリント配線板及び電子部品及びはんだ付け方法及びはんだ付け装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-059561   出願人：富士通株式会社
• 特開平4-293240
  
• 特表平7-509662