特許

J-GLOBAL ID：200903033837138907

反射防止膜形成用塗布液組成物およびこれを用いたレジスト材料

発明者： 田辺 将人 ,  脇屋 和正 ,  小林 政一 ,  駒野 博司 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-164600
公開番号（公開出願番号）：特開平11-352697
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 特に化学増幅型ホトレジスト組成物を用いた場合に定在波効果を効率よく低減化することができ、また膜質、膜除去性にも優れる反射防止膜の形成が可能な反射防止膜形成用塗布液組成物およびこれを用いたレジスト材料を提供する。【解決手段】 環式パーフルオロアルキルポリエーテルと鎖式パーフルオロアルキルポリエーテルを3:10〜10:1(重量比)の割合で混合した混合物と、フッ素系有機溶剤とを含有させて反射防止膜形成用塗布液組成物とする。そして、該反射防止膜形成用塗布液組成物を用いて形成した反射防止膜をホトレジスト層上に形成してレジスト材料とする。

請求項（抜粋）：

環式パーフルオロアルキルポリエーテルと鎖式パーフルオロアルキルポリエーテルを3:10〜10:1(重量比)の割合で混合した混合物と、フッ素系有機溶剤とを含有してなる、反射防止膜形成用塗布液組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/004 506 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-073108   出願人：東京応化工業株式会社
• フォトレジスト及びこのフォトレジストを用いた半導体装 置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-313696   出願人：ソニー株式会社