特許
J-GLOBAL ID：200903033838620125

半導体ウェハデバイスのカバ-キャップ

発明者：
モーリス エス カープマン

モーリス エス カープマン について

, 
ディパック センギュプタ

ディパック センギュプタ について


出願人/特許権者：
アナログ デバイスィズ インコーポレイテッド

アナログ デバイスィズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 溝井 章司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-322868
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183205
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハデバイスのためのカバーキャップを提供する。【解決手段】 フォトエッチング可能か又は透明である材料のカバーウェハ20をパターン成型し、多数の半導体デバイスを搭載したデバイス基板10へカバーとして取り付けアセンブリ24を形成する。カバーウェハ20は選択的に感光されエッチングされ、デバイス基板の個々のデバイスに対応するように、カバーキャップ34がそれぞれカバーウェハ20上に定義される。アセンブリ24は個々のデバイスに分割切断され、デバイスはパッケージングされる。イメージセンサやMEMSのようなマイクロマシンデバイス等の、多種の半導体デバイスの形成方法において、デバイスを分割切断する前にデバイス基板にカバーウェハを取り付けることにより、粒子汚染、湿気、溶剤、デバイス基板表面へのスクラッチ傷といった多くの周囲の障害から、デバイス基板を保護し、より強固なデバイスが得られる。
請求項（抜粋）：
カバーキャップを持つ半導体デバイス形成方法であって、少なくともフォトエッチング可能であるカバーウェハと透過性を持つカバーウェハとのいずれかをパターン成型してカバー構造を形成するカバーウェハパターン成型工程と、上記カバー構造を、少なくともひとつのデバイスを有するデバイス基板に取り付けアセンブリを形成するカバー構造取り付け工程とを備えたことを特徴とする半導体デバイス形成方法。
IPC (2件)：
H01L 23/02 ,  H01L 31/02
FI (3件)：
H01L 23/02 J ,  H01L 23/02 F ,  H01L 31/02 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
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