成膜方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-361899
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164345
出願日： 2000年11月28日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】低温でも、膜厚の面内均一性が非常に高くて表面粗さは非常に小さく、しかも電気的特性が良好な薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成することができる成膜方法を提供する。【解決手段】処理容器20内の被処理体Wの表面に、原料ガスと酸化剤ガスとを用いてタンタル酸化膜を形成する成膜方法において、前記被処理体の表面に前記酸化剤ガスを付着させる酸化剤付着工程と、前記付着された酸化剤ガスに対して前記原料ガスを作用させてタンタル酸化膜を形成する反応工程とをこの順序で複数回繰り返し行うようにする。これにより、低温でも、膜厚の面内均一性が非常に高くて表面粗さは非常に小さく、しかも電気的特性が良好な薄い膜厚のタンタル酸化膜を精度良く形成する。

請求項（抜粋）：

処理容器内の被処理体の表面に、原料ガスと酸化剤ガスとを用いてタンタル酸化膜を形成する成膜方法において、前記被処理体の表面に前記酸化剤ガスを付着させる酸化剤付着工程と、前記付着された酸化剤ガスに対して前記原料ガスを作用させてタンタル酸化膜を形成する反応工程とをこの順序で複数回繰り返し行うようにしたことを特徴とする成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 21/31 B

Fターム (36件)：

4K030AA11 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA42 , 4K030CA04 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 5F045AA03 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AC07 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045BB02 , 5F045BB16 , 5F045DC61 , 5F045DP19 , 5F045EE02 , 5F045EE14 , 5F045EE18 , 5F045EE19 , 5F045EF02 , 5F045EG05 , 5F045EK06 , 5F045EM10 , 5F045EN05 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF29 , 5F058BF54 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BG02

引用特許：

出願人引用 (5件)

成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-370667 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝
特開平1-179423
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-277546 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (1件)

成膜方法及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-370667 出願人：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝

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