絶縁膜の成膜方法及びその成膜装置

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北村欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-063659
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250823
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】量産に適した、コンタミの少ない、組成制御された、ち密で、欠陥、粒界の極めて少ない、深さ方向に構造制御された、良好な絶縁特性を持つ絶縁膜の提供。【解決手段】 Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を基板表面に供給し、これを吸着させた後、余った分子を排気する工程と、O、N、及びFから選ばれた少なくとも1種を含む気体状分子を単独で又は組み合わせて基板表面に供給し、これを先の工程で吸着していた分子の上に吸着させた後、余った分子を排気する工程とを含み、各工程で吸着した分子間で化学反応を生じさせて、絶縁膜を形成する。

請求項（抜粋）：

Al、Si、Ta、又はTiを含む気体状分子を基板表面に供給し、吸着させた後排気する工程と、O、N及びFから選ばれた少なくとも1種を含む気体状分子を単独で又は組み合わせて該基板表面に供給し、吸着させた後排気する工程とを含むことを特徴とする絶縁膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/318 C , H01L 21/31 B

Fターム (35件)：

5F045AA06 , 5F045AA15 , 5F045AB31 , 5F045AB34 , 5F045AC02 , 5F045AC08 , 5F045AC11 , 5F045AC12 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045BB04 , 5F045BB16 , 5F045BB17 , 5F045EB08 , 5F045EB13 , 5F045EE14 , 5F045EG01 , 5F045EG03 , 5F045EG05 , 5F045EG08 , 5F045EN04 , 5F058BA06 , 5F058BC11 , 5F058BC20 , 5F058BE01 , 5F058BF04 , 5F058BF24 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF34 , 5F058BF37 , 5F058BG02

引用特許：

出願人引用 (4件)

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-034413 出願人：三星電子株式会社
特開平1-179423
酸化処理方法および酸化処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-225492 出願人：東京エレクトロン株式会社

全件表示

審査官引用 (5件)

原子層蒸着法を用いた薄膜製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-034413 出願人：三星電子株式会社
特開平1-179423
特開平1-179423

全件表示

前のページに戻る