特許
J-GLOBAL ID：200903033909148724
薄膜サーミスタおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-078648
公開番号（公開出願番号）：特開平11-273907
出願日： 1998年03月26日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】B定数を大きくしながらも1/fノイズが少なく且つ導電率が高く、結果的に小型で高S/N比が得られる薄膜サーミスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】薄膜サーミスタは、p形a-SiC:H薄膜よりなるサーミスタ素子8の厚み方向の両面にそれぞれCrよりなる下部電極11aとCrよりなる上部電極11bが形成される。p形a-SiC:H薄膜は、プラズマCVD法により形成される。原料ガスはモノシランとメタンとを用い、ドーパントガスとしてジボランを用いる。p形a-SiC:H薄膜は、堆積速度が供給律速となり、且つ、プラズマダメージが比較的少なくなるような高周波電力を印加することによって形成する。薄膜中に未分解で取り込まれるCHX (X=1,2,3)の量を完全に分解されて取り込まれたCに対して少なくすることが望ましい。
請求項（抜粋）：
アモルファス半導体薄膜よりなる半導体抵抗層に電極を設けた薄膜サーミスタであって、前記半導体抵抗層を構成する主原子は、不純物原子若しくは不純物分子が結合された主原子の割合が42.5%以下であることを特徴とする薄膜サーミスタ。
IPC (4件)：
H01C 7/02
, G01J 5/02
, H01C 7/04
, H01L 21/205
H01C 7/02
, G01J 5/02 C
, H01C 7/04
, H01L 21/205
