フラッシュメモリ、その書き込み・消去方法、およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-247416
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077632
出願日： 1998年09月01日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】本発明はゲート絶縁膜膜厚薄くしなくとも、低電圧動作が可能で、信頼性の高いフラッシュメモリを提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板1上に、この半導体基板表面に設けられ、コーナーを有するトレンチ2と、このトレンチ内の表面に設けられたゲート絶縁膜3と、このゲート絶縁膜を介してトレンチ内に埋め込まれたフローティングゲート4と、このフローティングゲートと絶縁されて設けられたコントロールゲート5とを備え、前記トレンチの底のコーナーにおいて前記フローティングゲートの角と半導体基板の隅とが前記ゲート絶縁膜を介して対面しており((2)のところ)、コントロールゲートを低電位、半導体基板を高電位にしたときに、フローティングゲートのコーナーの角から電子の引き抜きが行われることを特徴とするフラッシュメモリ。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、この半導体基板表面に設けられ、コーナーを有するトレンチと、このトレンチ内の表面に設けられたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜を介してトレンチ内に埋め込まれたフローティングゲートと、このフローティングゲートと絶縁されて設けられたコントロールゲートとを備え、前記トレンチの底のコーナーにおいて前記フローティングゲートの角と半導体基板の隅とが前記ゲート絶縁膜を介して対面しており、コントロールゲートを低電位、半導体基板を高電位にしたときに、フローティングゲートのコーナーの角から電子の引き抜きが行われることを特徴とするフラッシュメモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , G11C 16/04 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 434 , G11C 17/00 621 C , H01L 29/78 371

Fターム (51件)：

5B025AA01 , 5B025AB02 , 5B025AC01 , 5B025AE07 , 5B025AE08 , 5F001AA21 , 5F001AA22 , 5F001AA31 , 5F001AA43 , 5F001AC02 , 5F001AC03 , 5F001AC06 , 5F001AC20 , 5F001AD15 , 5F001AD21 , 5F001AD53 , 5F001AD62 , 5F001AE03 , 5F001AF07 , 5F001AG12 , 5F001AG28 , 5F083EP03 , 5F083EP14 , 5F083EP15 , 5F083EP34 , 5F083EP38 , 5F083EP48 , 5F083EP56 , 5F083EP62 , 5F083EP67 , 5F083EP72 , 5F083EP79 , 5F083ER04 , 5F083ER09 , 5F083ER14 , 5F083ER15 , 5F083ER16 , 5F083ER22 , 5F083GA05 , 5F083GA16 , 5F083GA21 , 5F083GA30 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083PR03 , 5F083PR13 , 5F083PR16 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR34 , 5F083PR39

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-115164
特開平4-221857
不揮発性半導体メモリ装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-287678 出願人：株式会社リコー

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