特許
J-GLOBAL ID：200903033926480260
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325945
公開番号（公開出願番号）：特開平11-163303
出願日： 1997年11月27日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：
【要約】【課題】 微細、高集積で、素子分離能力に優れ、寄生抵抗、容量の小さいたフラッシュメモリを提供する。【解決手段】 SOI基板上にNAND型フラッシュEEPROMが形成される。素子領域(活性層)は、格子パターンで、その間の溝は、絶縁材により埋め込まれる。ロウ方向の素子同士は、完全に絶縁材により分離される。メモリセルが形成されるシリコン薄膜は、微量のn型不純物を含み、真性半導体に近い。周辺回路や選択ゲートトランジスタが形成されるシリコン薄膜は、p型である。メモリセル及び選択ゲートトランジスタの拡散層は、n型である。NANDストリングを構成する各メモリセルのチャネルは、しきい値の異なる少なくとも2つの領域から構成される。
請求項（抜粋）：
絶縁層上に形成された活性層と、前記活性層に形成されるメモリセルアレイとを具備し、前記メモリセルアレイは、互いに直列接続された複数のメモリセルトランジスタからなるNANDストリングがマトリクス状に配置されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
H01L 27/115
, G11C 16/04
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 29/786
H01L 27/10 434
, G11C 17/00 622 E
, H01L 29/78 371
, H01L 29/78 618 B
