特許
J-GLOBAL ID：200903045263860658

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
白田 理一郎

白田 理一郎 について

, 
有留 誠一

有留 誠一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070133
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260617
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：
【要約】【課題】素子分離能力を落とすことなく、ワード線を共有化した隣り合うメモリセル間の素子分離幅を縮少することができ、メモリセルアレイの集積度向上をはかる。【解決手段】 半導体基板1上に浮遊ゲート14と制御ゲート16を積層したトランジスタからなるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルを複数個集積してなるセルアレイ部Bは、Si基板1上に絶縁膜3を介して形成された単結晶Si層4に形成され、セルアレイ部以外の周辺回路部Aは、Si基板1に直接形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に電荷蓄積層と制御ゲートを積層したトランジスタからなるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセルを複数個集積してなるセルアレイ部は、前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成された単結晶半導体層に形成され、セルアレイ部以外の周辺回路部は、前記半導体基板に直接形成されてなることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (2件)：
H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (5件)
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