特許
J-GLOBAL ID：200903033933805167
安定性のあるフッ素が添加されたケイ酸塩ガラスおよび他の膜を形成するための改良形プロセスガス分配
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227365
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102372
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 これまでよりも基板表面に近い位置でドーパント種を注入することにより、確実に基板表面にわたってドーパント種をほぼ均一に分配し、安定性のある不純物が添加された誘電体層を堆積させる改良形プロセスガス分配方法および装置を提供する。【解決手段】 基板処理システムが、チャンバ内に配置された基板の基板表面上に膜を形成するためのチャンバを画定するハウジングを含む。このシステムは、基板表面の周辺部から第1の距離で、第1の化学物質を注入するためにチャンバ内に延びる第1の複数のノズルと、基板表面の周辺部から第2の距離で、第2の化学物質を注入するためにチャンバ内に延びる第2の複数のノズルを含む。第2の距離は、第1の距離とほぼ同等のものであるかそれよりも短いものである。一実施形態では、第1の化学物質は誘電体材料を含み、第2の化学物質は、第1の化学物質と反応するドーパント種を含んで、基板上に不純物が添加された誘電体材料を堆積する。
請求項（抜粋）：
プロセスチャンバにおいて基板表面上に不純物が添加された誘電体層を形成する方法であって、前記基板表面の周辺部から第1の距離で、誘電体材料の前駆体を含む第1のプロセスガスを前記プロセスチャンバ内に注入するステップと、前記基板表面の前記周辺部から第2の距離で、ドーパント種を含む第2のプロセスガスを前記プロセスチャンバ内に注入するステップであって、前記プロセスチャンバで前記第1のプロセスガスと前記第2のプロセスガスを反応させて、前記基板表面上に不純物が添加された誘電体層を堆積させるステップとを含み、前記第2の距離が前記第1の距離と実質的に同等かもしくは短いものであるため、前記基板表面にわたって前記ドーパント種が実質的に均一に分配されることで、前記基板上に安定性のある不純物が添加された誘電体層を堆積させることを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, C23C 16/30
, H01L 21/205
, H01L 21/316
H01L 21/31 C
, C23C 16/30
, H01L 21/205
, H01L 21/316 X
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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