特許

J-GLOBAL ID：200903034048882355

強誘電体膜、強誘電体メモリ、圧電素子、半導体素子、液体噴射ヘッド、プリンタ及び強誘電体膜の製造方法

発明者： 木島 健 ,  ▲濱▼田 泰彰 ,  名取 栄治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-105295
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101512
出願日： 2004年03月31日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 1T1C、2T2C及び単純マトリクス型強誘電体メモリのいずれにも使用可能なヒステリシス特性を持つ強誘電体キャパシタに好適な強誘電体膜を提供する。【解決手段】 本発明の強誘電体膜101は、AB1-xNbxO3の一般式で示され、A元素は、少なくともPbからなり、B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、0.05≦x<1の範囲でNbを含む酸化物から形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

AB1-xNbxO3の一般式で示され、 A元素は、少なくともPbからなり、 B元素は、Zr、Ti、V、W及びHfのうち、少なくとも一つ以上からなり、 0.05≦x<1の範囲でNbを含む、強誘電体膜。

IPC (10件)：

H01L27/105 ,  B05C5/00 ,  B41J2/045 ,  B41J2/055 ,  B41J2/16 ,  H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/24 ,  H02N2/00

FI (12件)：

H01L27/10 444B ,  B05C5/00 101 ,  H02N2/00 B ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/08 D ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 L ,  B41J3/04 103H ,  B41J3/04 103A

Fターム (26件)：

2C057AF93 ,  2C057AG12 ,  2C057AG44 ,  2C057AP02 ,  2C057AP14 ,  2C057AP57 ,  2C057BA03 ,  2C057BA14 ,  4F041AA02 ,  4F041AA16 ,  4F041AB01 ,  4F041BA10 ,  4F041BA13 ,  5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083FR03 ,  5F083GA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-258830   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 強誘電体薄膜素子の製造方法、インクジェット式記録ヘッド及びインクジェットプリンタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-245966   出願人：セイコーエプソン株式会社