特許

J-GLOBAL ID：200903034063225654

半導体装置の製造方法

発明者： 大槻 悦理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337537
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201974
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 MOSFETを含む半導体装置の製造方法に関し、チャネルストップ領域と閾値電圧制御領域を同一のイオン注入工程によって作成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板の素子形成領域上に耐酸化性膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記耐酸化性膜によって覆われていない領域を選択的に酸化して分離用酸化膜を形成する工程と、前記分離用酸化膜および前記耐酸化性膜を通して前記半導体基板に不純物を注入し、前記素子形成領域表面に閾値電圧制御領域を、前記分離用酸化膜下にチャネルストップ領域を形成する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子形成領域上に耐酸化性膜を形成する工程と、前記半導体基板の前記耐酸化性膜によって覆われていない領域を選択的に酸化して分離用酸化膜を形成する工程と、前記分離用酸化膜および前記耐酸化性膜を通して前記半導体基板に不純物を注入し、前記素子形成領域表面に閾値電圧制御領域を、前記分離用酸化膜下にチャネルストップ領域を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/76 S ,  H01L 21/265 H ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン基板上にフィールド酸化物領域及びチャネル・ストップを形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-329838   出願人：インテル・コーポレーション
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-088638   出願人：シャープ株式会社