特許

J-GLOBAL ID：200903034116750721

不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法

発明者： 斎藤 一雄 ,  高村 昌吾
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-134177
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332468
出願日： 2002年05月09日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体記憶装置のデータ・リタデーション不良を防止する。【解決手段】 浮遊ゲートを持つスタック型ゲート構造のトランジスタアレイが形成されたメモリセル領域の上方に、メモリセル領域を覆うTi含有バリアを形成し、その上方にパッシベーション層を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に配置され、浮遊ゲートを持つスタック型ゲート構造のトランジスタアレイを有する、メモリセル領域と、前記メモリセル領域の上方に配置され、前記メモリセル領域を覆うTi含有バリアと、前記Ti含有バリア上、または上方に配置されたパッシベーション層とを有する不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 481 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 21/88 S

Fターム (58件)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH27 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM22 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033SS04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV01 ,  5F033VV16 ,  5F033XX19 ,  5F033XX28 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP27 ,  5F083EP55 ,  5F083EP76 ,  5F083ER16 ,  5F083GA21 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083KA20 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR43 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA29 ,  5F101BA36 ,  5F101BB05 ,  5F101BD34 ,  5F101BD45 ,  5F101BD46 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF03 ,  5F101BF05 ,  5F101BH02 ,  5F101BH21

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-172627   出願人：現代電子産業株式会社
• 特開平2-281663
  
• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-102931   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122610   出願人：三菱電機株式会社