特許
J-GLOBAL ID:200903034124438184

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-126276
公開番号(公開出願番号):特開平8-321399
出願日: 1995年05月25日
公開日(公表日): 1996年12月03日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、高周波電極に微細な穴が形成されていてもその穴の表面も十分にセラミックで覆われており、成膜雰囲気を汚染することのない、優れた特性を有する膜の形成が可能な、プラズマ処理装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、金属の少なくともプラズマにさらされる部分がセラミック材で覆われてなる高周波電極を有するプラズマ処理装置において、該高周波電極からのガス放出量を10-8Torr・L/sec〜10-6Torr・L/sec以下としたことを特徴とする。また、本発明は、金属の少なくともプラズマにさらされる部分がセラミック材で覆われてなる高周波電極を有するプラズマ処理装置において、該セラミック材は焼結セラミック材であることを特徴とするプラズマ処理装置に存在する。
請求項(抜粋):
金属の少なくともプラズマにさらされる部分がセラミック材で覆われてなる高周波電極を有するプラズマ処理装置において、該高周波電極からのガス放出量を10-8Torr・L/sec〜10-6Torr・L/sec以下としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065
FI (4件):
H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B
引用特許:
審査官引用 (3件)

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