特許

J-GLOBAL ID：200903034156014866

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松尾 浩司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-226232
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045995
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：

【要約】【課題】 従来のデュアルメタルゲートプロセスの問題を改善し、素子の特性や信頼性を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを有する半導体装置であって、n型及びp型MISトランジスタの一方のトランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜20上に形成された第1のゲート材料膜21、第1のゲート材料膜上に形成された第2のゲート材料膜22及び第2のゲート材料膜上に形成された第3のゲート材料膜24を含み、n型及びp型MISトランジスタの他方のトランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜20上に形成された第3のゲート材料膜24を含み、第1のゲート材料膜21は、アンチモン、ビスマス、インジウム、鉛、スズ又はテルルからなる金属膜、又はそれらの金属元素を含む金属化合物膜である。

請求項（抜粋）：

n型MISトランジスタ及びp型MISトランジスタを有する半導体装置であって、n型及びp型MISトランジスタの一方のトランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第1のゲート材料膜、第1のゲート材料膜上に形成された第2のゲート材料膜及び第2のゲート材料膜上に形成された第3のゲート材料膜を含み、n型及びp型MISトランジスタの他方のトランジスタのゲート電極は、ゲート絶縁膜上に形成された第3のゲート材料膜を含み、前記第1のゲート材料膜は、アンチモン、ビスマス、インジウム、鉛、スズ又はテルルからなる金属膜、又はそれらの金属元素を含む金属化合物膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/62 G

Fターム (90件)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104BB20 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD03 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB13 ,  5F048BB19 ,  5F048BC06 ,  5F048BF06 ,  5F048BG14 ,  5F048DA27 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE03 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF17 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BF27 ,  5F140BF30 ,  5F140BG03 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BG36 ,  5F140BG37 ,  5F140BG38 ,  5F140BG39 ,  5F140BG40 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK34 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-124405   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-354698   出願人：三菱電機株式会社