特許

J-GLOBAL ID：200903034169633778

非単結晶薄膜のレーザーアニール方法および薄膜半導体素子の製造方法

発明者： 前川 茂樹 ,  古田 守 ,  筒 博司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173301
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022223
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 非単結晶薄膜の膜厚や不純物濃度等の基板間ばらつきに関わらず、結晶性および均一性の良好な薄膜を得ることのできる非単結晶薄膜のレーザーアニール方法を実現する。【解決手段】 基板上に形成した非単結晶薄膜の結晶化しきい値エネルギー密度がEthである非単結晶薄膜に対して、照射エネルギー密度が1.2Eth〜2.0Ethの範囲にあるパルスレーザービームを重畳照射する第1のアニール工程と、第1のアニール工程を行った後、非単結晶薄膜に対して、照射エネルギー密度が2.2Eth〜2.7Ethの範囲にあるパルスレーザービームを重畳照射する第2のアニール工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板上に形成した非単結晶薄膜の結晶化しきい値エネルギー密度がEthである前記非単結晶薄膜に対して、照射エネルギー密度が1.2Eth〜2.0Ethの範囲にあるパルスレーザービームを重畳照射する第1のアニール工程と、前記第1のアニール工程を行った後、前記非単結晶薄膜に対して、照射エネルギー密度が2.2Eth〜2.7Ethの範囲にあるパルスレーザービームを重畳照射する第2のアニール工程とを含む非単結晶薄膜のレーザーアニール方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体デバイスのレーザー処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-309826   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-248642   出願人：富士ゼロックス株式会社