特許
J-GLOBAL ID：200903009703028066
半導体デバイスのレーザー処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-309826
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148428
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 非晶質もしくは多結晶半導体のレーザー結晶化工程においてリッジの発生を抑制する半導体デバイスの作製方法を提供する。【構成】 レーザー結晶化工程を2度に分けておこなう。まず、最初はやや強度の弱いレーザー光を用いて、真空中においてレーザー照射をおこなう。次に、初めのレーザー光より強度を強くして、真空中、大気あるいは酸素雰囲気中においてレーザー照射をおこなう。最初の、真空中のレーザー照射では結晶化は不十分であるが、この照射により、リッジの発生を抑制することができ、次に、真空中、大気あるいは酸素雰囲気中でのレーザー照射によって十分な結晶化をおこなってもリッジは発生しない。
請求項（抜粋）：
100Pa以下の真空中においてレーザー光を照射する第1の工程と、第1の工程の後に、第1の工程のレーザー光のエネルギー密度の1.3倍以上のエネルギー密度のレーザー光を照射する第2の工程と、を有することを特徴とする半導体デバイスのレーザー処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/324
