基板処理装置および基板処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：稲岡耕作 , 川崎実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-193652
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349669
出願日： 2003年07月08日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】基板上で第1処理液と第2処理液とを上手く混合させる。【解決手段】ウエハWをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック1と、このスピンチャック1に保持されたウエハWの表面に硫酸(H2SO4)を供給するための硫酸ノズル2と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面に過酸化水素水を供給するための過酸化水素水ノズル3とを備えている。過酸化水素水ノズル3は、たとえば、過酸化水素水を霧化してウエハWに供給する噴霧ノズルである。過酸化水素水ノズル3からの過酸化水素水は霧状であるから、ウエハWの表面上に硫酸の液膜が形成されていても、霧状の過酸化水素水の供給によって、そのウエハWの表面上の硫酸の液膜が破壊されるおそれがない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上で第1処理液と第2処理液とを混合させて、その混合液による処理を基板に施すための基板処理装置であって、処理対象の基板を保持する基板保持手段と、この基板保持手段に保持された基板を回転させる基板回転手段と、上記基板保持手段によって保持されている基板に対して第1処理液を供給する第1処理液供給手段と、上記基板保持手段に保持された基板が上記基板回転手段によって回転されているときの当該基板の回転半径を含む範囲に第2処理液を供給することができる第2処理液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L21/304 , B08B3/02 , G03F7/42 , H01L21/027

FI (4件)：

H01L21/304 643A , B08B3/02 B , G03F7/42 , H01L21/30 572B

Fターム (20件)：

2H096AA24 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096LA02 , 2H096LA03 , 3B201AA02 , 3B201AA03 , 3B201AB03 , 3B201AB34 , 3B201AB48 , 3B201BB22 , 3B201BB32 , 3B201BB44 , 3B201BB82 , 3B201BB93 , 3B201BB96 , 3B201CB12 , 3B201CC01 , 3B201CC13 , 5F046MA10

引用特許：

出願人引用 (5件)

基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-059522 出願人：ソニー株式会社
処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-084064 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
特開平2-051229

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審査官引用 (6件)

基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-059522 出願人：ソニー株式会社
処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-084064 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
特開平2-051229

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