特許
J-GLOBAL ID：200903034249874679

電子機器およびその作製方法

発明者：
張 宏勇

張 宏勇 について

, 
坂倉 真之

坂倉 真之 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240505
公開番号（公開出願番号）：特開平11-064890
出願日： 1997年08月20日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 高寿命・高品質な画素部を備えた電子機器を提供する。【解決手段】 基板100上には、画素毎にアクティブ素子としてTFTが形成される。層間絶縁膜114を介してTFTのドレイン電極113と金属材料でなる画素電極115とが接続されている。隣接する金属材料でなる画素電極115の隙間において、層間絶縁膜114には溝部が形成されている。この溝部と画素電極115の隙間に光吸収物122が埋め込まれている。光吸収物122では光は反射されないため、画素電極115以外での反射光が無くなり、高コントラストの表示ができる。また画素電極115を光吸収物122によって光が完全に遮蔽できるため、TFTの光劣化が防止できる。
請求項（抜粋）：
複数のアクティブ素子と、前記複数のアクティブ素子を覆う絶縁物層と、前記絶縁物層上に形成された複数の画素電極とが配置された画素領域を有する電子機器であって、前記絶縁物層には、隣接する前記画素電極の隙間と重なる空隙を有する溝部が設けられ、前記溝部には、絶縁性の光吸収物が埋め込まれていることを特徴とする電子機器。
IPC (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 349
FI (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 349 C
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (13件)
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