特許
J-GLOBAL ID：200903005888555240

液晶表示装置及びその製造方法並びに液晶表示装置の欠陥検査方法

発明者：
武中 康一

武中 康一 について

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山下 俊弘

山下 俊弘 について

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斉藤 尚史

斉藤 尚史 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-225905
公開番号（公開出願番号）：特開平10-325964
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 開口率が高く、クロストークの発生を抑えたアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法並びに画素電極同士の電気的な短絡を検出するアクティブマトリクス型液晶表示装置の欠陥検査方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板1上に、薄膜トランジスタ2、ゲート配線3及びソース配線4を形成する。次に、無色透明で絶縁性を有する有機樹脂材料を用いて、層間絶縁膜5を形成し、層間絶縁膜5にコンタクトホール6を形成し、層間絶縁膜5上に画素電極8を形成する。画素電極8は、コンタクトホール6を介して薄膜トランジスタ2と電気的に接続する。そして、画素電極8をマスクとして用いて、酸素プラズマを用いたリアクティブイオンエッチングにより、自己整合的に層間絶縁膜5をエッチングし、層間絶縁膜5の画素電極8間に溝21を形成する。さらに、溝21及びコンタクトホール6に遮光膜7を形成し、配向膜を形成してアクティブマトリクス基板9を完成する。
請求項（抜粋）：
ゲート配線と、ソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線との交差部の近傍に設けられた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された液晶層に電圧を印加するための画素電極とを有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記ゲート配線、前記ソース配線及び前記薄膜トランジスタの上部に透明度の高い有機樹脂からなる層間絶縁膜が形成され、前記層間絶縁膜上に前記画素電極が形成され、前記画素電極間に絶縁性を有する遮光膜が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 ,  G02F 1/1335 500 ,  H01L 29/786
FI (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02B 5/00 B ,  G02F 1/1335 500 ,  H01L 29/78 612 A
引用特許：
審査官引用 (25件)
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