特許
J-GLOBAL ID：200903034318423030
半導体レーザ素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068049
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264886
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 GaN系エピタキシャル結晶を用いた、低コストで安定なレーザ素子およびその製造方法を提供する。【構成】 結晶のへき開端面をミラーとして利用したファブリペロー共振器を有する半導体レーザ素子であって、GaAs半導体基板1と、基板1上に形成された厚さが10nm〜80nmのGaNからなる第1のバッファ層2と、第1のバッファ層2上に形成されたGaNからなる第2のバッファ層3と、第1のバッファ層2と第2のバッファ層3との界面に位置する不整合面9と、第2のバッファ層3上に形成された第1のクラッド層4と、第1のクラッド層4上に形成された活性領域5と、活性領域5上に形成された第2のクラッド層6と、第2のクラッド層6上に形成されたコンタクト層7とを含む。
請求項（抜粋）：
結晶のへき開端面をミラーとして利用したファブリペロー共振器を有する半導体レーザ素子であって、GaAs、GaPおよびInPからなる群から選ばれる化合物半導体基板と、前記基板上に形成された、厚さが10nm〜80nmのGaNからなる第1のバッファ層と、前記第1のバッファ層上に形成された、GaNからなる第2のバッファ層と、前記第1のバッファ層と前記第2のバッファ層との界面に位置する不整合面と、前記第2のバッファ層上に形成された第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に形成された活性領域と、前記活性領域上に形成された第2のクラッド層と、前記第2のクラッド層上に形成されたコンタクト層とを含む、半導体レーザ素子。
引用特許：
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