特許
J-GLOBAL ID：200903008951717149
半導体発光素子およびその製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-215625
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116092
出願日： 1995年08月24日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【課題】 格子定数の不整合や熱膨張係数の相違に基づく結晶欠陥や転位の発生を極力抑え、かつ、劈開することができる半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】 GaAs、InAs、GaP、InPなどのIII -V族化合物半導体基板3のAsまたはP原子を最表面とする主面に、チッ化ガリウム系化合物半導体4〜9を積層して発光素子を構成する。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体基板上に積層されたチッ化ガリウム系化合物半導体層を構成要素とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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