特許

J-GLOBAL ID：200903034318645997

ウェーハの研磨方法

発明者： 深見 輝明
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-225753
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037089
出願日： 2001年07月26日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ウェーハにスクラッチが発生する事なく、また研磨時間も短縮され、高平坦度な鏡面研磨ウェーハを得るための研磨方法を提供する。【解決手段】 ウェーハWの仕上げ研磨工程において、研磨が複数の連続した研磨ステツプで実施されるとともに、始段側より終段側の研磨圧力が低くなるように設定して、ウェーハWを仕上げ研磨することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ウェーハの仕上げ研磨工程において、研磨が複数の連続した研磨ステップで実施されると共に、始段側より終段側の研磨圧力が低くなるように設定し研磨することを特徴とするウェーハの研磨方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

H01L 21/304 622 K ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 B ,  B24B 37/00 C

Fターム (8件)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058BA02 ,  3C058BA05 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-259411   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社, 直江津電子工業株式会社, 三益半導体工業株式会社
• ポリッシング加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-238424   出願人：スピードファム・アイペック株式会社