特許
J-GLOBAL ID：200903034355091489

半導体装置

発明者：
東田 祥史

東田 祥史 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 河村 洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-075316
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274321
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：
【要約】【目的】 パワーMOSFETをスイッチング動作させても転流によるFETセルの破壊を生じさせないで、かつ、耐圧に対しても充分強いパワーMOSFETを有する半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板1にFETセル10が複数個形成され、該セルの各ゲート電極がそれぞれ接続されるとともに外部端子と接続のためのゲート電極パッド7が前記半導体基板上に絶縁膜4aを介して形成されてなるパワーMOSFETを有する半導体装置であって、前記ゲート電極パッドが絶縁膜11を介して前記FETセル上に拡張して設けられている。
請求項（抜粋）：
半導体基板にFETセルが複数個形成され、該セルの各ゲート電極がそれぞれ接続されるとともに外部端子と接続のためのゲート電極パッドが前記半導体基板上に絶縁膜を介して形成されてなるパワーMOSFETを有する半導体装置であって、前記ゲート電極パッドが絶縁膜を介して前記FETセル上に拡張して設けられてなる半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/06
FI (3件)：
H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 301 X
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 特開昭62-224074
  • 特開平2-052468
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-327925   出願人：関西日本電気株式会社
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