特許
J-GLOBAL ID：200903034359758488

半導体ナノワイヤを用いた半導体素子、それを用いた表示装置及び撮像装置

発明者：
塩谷 俊介

塩谷 俊介 について

, 
池田 外充

池田 外充 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (3件)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-329405
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184566
出願日： 2006年12月06日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】ナノワイヤを用いて、発光または受光機能とスイッチング機能を兼ね備えた半導体素子を提供する。【解決手段】PN接合またはPIN接合を備える第1の領域7と、電界効果型トランジスタ構造を備える第2の領域8とを有する半導体ナノワイヤ1と、半導体ナノワイヤ1の両端に接続される一対の電極(2,3)と、第2の領域の少なくとも一部に絶縁層5を介して設けられているゲート電極4とを備えている。更に、半導体ナノワイヤ1は、P型半導体部とN型半導体部とを有し、且つP型半導体部またはN型半導体部の一方は、第1及び第2の領域の構成要素となっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
PN接合またはPIN接合を備える第1の領域と、電界効果型トランジスタのチャネル領域、ゲート絶縁膜及びゲート電極を含む第2の領域とを有し、 少なくとも、前記PN接合またはPIN接合と前記チャネル領域とは半導体ナノワイヤに含まれ、 前記半導体ナノワイヤの両端に接続される一対の電極を備えた半導体素子であって、 前記半導体ナノワイヤは、P型半導体部とN型半導体部とを有し、且つ 前記P型半導体部または前記N型半導体部の一方は、前記第1及び第2の領域の構成要素であることを特徴とする半導体素子。
IPC (10件)：
H01L 29/06 ,  H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/146 ,  B82B 1/00 ,  H01L 27/15
FI (10件)：
H01L29/06 601N ,  H01L33/00 C ,  H01L31/10 A ,  H01L29/80 A ,  H01L27/06 102A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 622 ,  H01L27/14 C ,  B82B1/00 ,  H01L27/15 B
Fターム (63件)：
4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118CB03 ,  4M118FB03 ,  4M118FB08 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB14 ,  5F041CA40 ,  5F041CB33 ,  5F048AA01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA15 ,  5F048BA16 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NB05 ,  5F049QA20 ,  5F049SS03 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102HC01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB10 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF22 ,  5F110FF26 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG24 ,  5F110GG30 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110NN71
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第6872645号明細書
  • 米国特許第6882051号明細書
審査官引用 (3件)

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