特許
J-GLOBAL ID：200903082581605945

カーボンナノチューブ半導体素子の作製方法

発明者：
森谷 幸司

森谷 幸司 について

, 
山下 晃央

山下 晃央 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-225237
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071654
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
【課題】ソース電極-ドレイン電極間に形成されるチャネル領域にCNTを用いたカーボンナノチューブ半導体素子の作製において、CNTの配向方向を制御する方法を提供する。【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極および、前記ソース電極と前記ドレインとの間に接して形成されたCNT層を有するカーボンナノチューブ半導体素子の作製において、ソース電極-ドレイン電極間に交流電圧を印加しながら、CNTを溶媒に分散させたCNT溶液を両電極間の領域に滴下し、溶媒を除去することによりCNT層におけるCNTの配向方向を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の電極を覆って形成された絶縁膜上の第2の電極および第3の電極の電極間に交流電圧を印加しながら、前記第2の電極上、前記第3の電極上、および前記第2の電極と前記第3の電極との間に存在する領域であって前記絶縁膜を介して前記第1の電極と重なる位置に導電体特性および半導体特性を有するカーボンナノチューブを含む溶液を滴下し、 前記カーボンナノチューブを一定の配向方向に制御し、 前記第2の電極および前記第3の電極の電極間に直流電圧を印加することにより導電体特性を有するカーボンナノチューブのみを除去し、 前記第2の電極及び前記第3の電極間を半導体特性を有するカーボンナノチューブで接続することを特徴とするカーボンナノチューブ半導体素子の作製方法。
IPC (3件)：
H01L29/786 ,  C01B31/02 ,  H01L29/06
FI (3件)：
H01L29/78 618B ,  C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N
Fターム (31件)：
4G146AA11 ,  4G146AD05 ,  4G146AD30 ,  4G146BA04 ,  4G146BA49 ,  4G146BC18 ,  5F110AA30 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG41 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
引用特許：
審査官引用 (5件)
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