特許

J-GLOBAL ID：200903034372838814

エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物

発明者： 田中 初幸
出願人/特許権者： クラリアント ジャパン 株式会社
代理人 (1件)： 鐘尾 宏紀 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277600
公開番号（公開出願番号）：特開2003-084457
出願日： 2001年09月13日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：

【要約】【課題】エッチング時のエッチングマスクの耐エッチング性を向上させる。【解決手段】基板上にフォトレジストを用いてレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターン上に、水可溶性或いは水分散性の樹脂、架橋剤及び溶剤としての水及び/又は水溶性有機溶剤を含有するエッチング保護層形成用組成物を塗付する工程と、加熱により前記エッチング保護層形成用組成物とレジストとの界面に、水を含む現像液に不溶なエッチング保護層を形成する工程と、前記エッチング保護層形成用組成物のエッチング保護層以外の不要部分を前記水を含む現像液にて除去する工程と、前記エッチング保護層を有するレジストパターンをマスクとして基板のエッチング処理を行う工程とを備えた基板のエッチング方法。

請求項（抜粋）：

基板上にフォトレジストを用いてレジストパターンを形成する工程と、形成されたレジストパターン上にエッチング保護層形成用組成物を塗付する工程と、前記エッチング保護層形成用組成物とレジストとの界面に、水を含む現像液に不溶なエッチング保護層を形成する工程と、前記エッチング保護層形成用組成物のエッチング保護層以外の不要部分を前記水を含む現像液にて除去する工程と、前記エッチング保護層を有するレジストパターンをマスクとして基板のエッチング処理を行う工程とを備えたことを特徴とする基板のエッチング方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 575

Fターム (13件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096EA02 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080940   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-003205   出願人：三菱電機株式会社