特許
J-GLOBAL ID：200903054722519599
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-003205
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204399
出願日： 1998年01月09日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：
【要約】【課題】 露光によるレジストパターンの形成においては、波長によって、微細化に限界がある。この限界を超えるとともに、パターン形状に優れ、かつ清浄なレジストパターン形成ができる方法を得る。【解決手段】 露光により酸を発生する材料を含む第1のレジストパターン1a上を、酸の存在で架橋する材料を含む第2のレジスト2で覆う。露光により第1のレジストパターン1a中に酸を発生させ、界面に架橋層4を形成し、第1のレジストパターン1aよりも太った第2のレジストパターン2aを形成する。この後、第2のレジスト2を水に有機溶媒を溶かした液で剥離し、さらに、水で洗浄する2段階処理によって、清浄で微細なレジストパターンを得る。これにより、レジストのホール径の縮小、分離幅の縮小ができる。
請求項（抜粋）：
半導体基材上に、第1のレジストを成膜し、この膜をパターン形成して、酸を供給し得る第1のレジストパターンを形成する工程と、この第1のレジストパターン上に第1のレジストパターンを溶解せず、かつ酸の存在により架橋反応を起こす第2のレジストを形成する工程と、前記第1のレジストパターンからの酸の供給により前記第1のレジストパターンに接する前記第2のレジストの界面部分に架橋膜を形成する処理工程と、前記第2のレジストの非架橋部分を、第1のレジストパターンを溶解させないで、第2のレジストを溶解させうる溶解性の高い溶液で現像し、さらに溶解性の低い溶液でリンスする多段階処理により第2のレジストパターンを形成する工程と、この第2のレジストパターンをマスクとして前記半導体基材をエッチングする工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/095
, H01L 21/306
H01L 21/30 573
, G03F 7/095
, H01L 21/306 D
