ネガ型レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：小島隆司 , 重松沙織 , 小林克成 , 石川武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-333135
公開番号（公開出願番号）：特開2007-140070
出願日： 2005年11月17日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。(式中、R1、R2は水素原子又はメチル基を表す。また、mは0又は1〜5の正の整数である。p、qは正数である。)【効果】本発明は、ビニル安息香酸と、その他のアルカリに対する溶解性を有する、もしくは脱保護反応等により溶解性を有する官能基に変換可能な構造を有するモノマー等を、共重合、脱保護反応して得られる高分子化合物をベース樹脂としてネガ型レジスト材料に配合したことにより、露光前後のアルカリ溶解速度のコントラストが高く、高解像性を有し、優れたエッチング耐性を示し、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料、マスクパターン形成材料を与えることが可能である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有し、重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物を含むことを特徴とするネガ型レジスト材料。

IPC (4件)：

G03F 7/033 , G03F 7/038 , G03F 7/004 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/033 , G03F7/038 601 , G03F7/004 501 , H01L21/30 502R

Fターム (15件)：

2H025AA02 , 2H025AA09 , 2H025AB08 , 2H025AB16 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025BE00 , 2H025CB17 , 2H025CB43 , 2H025CB45 , 2H025CB55 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA17

引用特許：

出願人引用 (2件)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報

審査官引用 (5件)

ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-262775 出願人：富士写真フイルム株式会社
ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-095475 出願人：富士写真フイルム株式会社
ネガ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-358016 出願人：富士写真フイルム株式会社

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