特許

J-GLOBAL ID：200903034391730463

試料像測定装置

発明者： 水野 文夫 ,  佐藤 修
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-106818
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293474
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】測定すべき試料面と測定プローブの光軸が直交していない場合、例えば、測定された寸法値が実寸法とは異なることになる。半導体ウェハを対象とする場合、パターン微細化の進展とともに、この誤差は無視できないものになりつつある。【解決手段】このような問題を解決するため、試料面とプローブ光軸との直交度のずれを検知するための手段と、該検知結果に基づいて試料面とプローブ光軸を補正し、直交させるための手段をもたせる。【効果】上記手段を働かせることによって、試料面とプローブ光軸を常に直交させることができるため、高い精度での寸法測定や誤検出の少ない形状検査が可能となる。

請求項（抜粋）：

対象試料の特徴を、該対象試料にエネルギービームを照射することによって得られる試料からの反応に基づいて抽出する試料像測定装置において、前記対象試料面と前記エネルギービームの直交度の違いを検知する手段と、該検知手段によって得られる検知結果に基づいて、前記対象試料面とエネルギービームを直交させる制御手段を備えたことを特徴とする試料像測定装置。

IPC (6件)：

H01J 37/20 ,  G01B 11/02 ,  G01B 11/26 ,  G01B 11/30 ,  H01J 37/22 502 ,  H01L 21/66

FI (7件)：

H01J 37/20 A ,  H01J 37/20 D ,  G01B 11/02 Z ,  G01B 11/26 Z ,  G01B 11/30 Z ,  H01J 37/22 502 L ,  H01L 21/66 J

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 試料像測定装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-106818   出願人：株式会社日立製作所
• 電子線マイクロアナライザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-010535   出願人：株式会社島津製作所