特許

J-GLOBAL ID：200903034420215050

表面処理方法及び装置

発明者： 福永 明 ,  大野 晴子 ,  加藤 利幸
出願人/特許権者： 株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-052868
公開番号（公開出願番号）：特開2000-246194
出願日： 1999年03月01日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】 薬品を使用することなく、また被処理材に汚染を生じさせず、かつ超純水の使用量の増大を招くことなく表面処理を継続的に行うことができる表面処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 被処理材12の被処理面12aをイオン交換体16aの存在下で超純水16と接触させ、該被処理面から溶出するイオン状物質を該イオン交換体によって処理させて前記被処理面からのイオン状物質の溶出を継続させる。

請求項（抜粋）：

被処理材の被処理面をイオン交換体の存在下で超純水と接触させ、該被処理面から溶出するイオン状物質を該イオン交換体によって処理させて前記被処理面からのイオン状物質の溶出を継続させることを特徴とする表面処理方法。

IPC (3件)：

B08B 3/08 ,  C23G 1/36 ,  H01L 21/304 641

FI (3件)：

B08B 3/08 A ,  C23G 1/36 ,  H01L 21/304 641

Fターム (16件)：

3B201AA02 ,  3B201AA03 ,  3B201AA46 ,  3B201AB01 ,  3B201BB02 ,  3B201BB03 ,  3B201BB05 ,  3B201BB89 ,  3B201BB93 ,  4K053PA01 ,  4K053PA06 ,  4K053QA04 ,  4K053RA07 ,  4K053SA06 ,  4K053YA13 ,  4K053ZA10

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平3-209820
  
• シリコンウエハ洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-054565   出願人：オルガノ株式会社
• 洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-315389   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (3件)

• 特開平3-209820
  
• シリコンウエハ洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-054565   出願人：オルガノ株式会社
• 洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-315389   出願人：富士通株式会社