特許

J-GLOBAL ID：200903034429216661

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 牧田 俊幸 ,  北村 賢次 ,  宮田 靖孝 ,  福井 太郎 ,  日野 裕久
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194471
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040591
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：

【要約】【課題】 気泡の発生を低減して封止することができると共に、封止材料の上面を平滑面にして封止することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 開口部6を設けて形成したマスク5を開口部6の内側に半導体素子1を位置させて配線基板3に重ねる。マスク5の上に供給された封止材料4を3Torr以下の減圧条件下でスキージ7で擦ってマスク5の開口部6を通して封止材料4を封止印刷する。さらに5Torr〜大気圧の範囲の条件下でマスク5上の封止材料4をスキージ7で擦ってマスク5の開口部6を通して封止材料4を仕上げ印刷する。このようにして、封止材料4で半導体素子1を封止する。3Torr以下の減圧条件下で行なわれる封止印刷の際に空気が封止材料4に巻き込まれるようなことがなくなる。また5Torr〜大気圧の条件下での仕上げ印刷によって、封止材料4の上面を平滑面にすることができる。

請求項（抜粋）：

配線基板に半導体素子を電気的に接続して搭載し、開口部を設けて形成したマスクを開口部の内側に半導体素子を位置させて配線基板に重ね、マスクの上に供給された封止材料を3Torr以下の減圧条件下でスキージで擦ってマスクの開口部を通して封止材料を封止印刷し、さらに5Torr〜大気圧の範囲の条件下でマスク上の封止材料をスキージで擦ってマスクの開口部を通して封止材料を仕上げ印刷することによって、封止材料で半導体素子を封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子部品の樹脂封止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-210138   出願人：東レエンジニアリング株式会社
• 電気部品の樹脂封止法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-275892   出願人：日本レツク株式会社
• 特開昭55-141733
  
• 特開昭58-207643